NTE Electronics, Inc NTE2351

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

表面安装

NO

供应商器件包装

3-SIP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

Manufacturer

NTE Electronics

Manufacturer Part Number

NTE2351

Emitter-Base Voltage

5(V)

Base-Emitter Saturation Voltage (Max)

2(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-126N

Collector-Base Voltage

100(V)

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

4(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Maximum Collector Cut-off Current

20

DC Current Gain

1000

Mounting

通孔

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.85

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

1(W)

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

20μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 6mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

1000

集电极-发射器电压-最大值

80 V