NTE Electronics, Inc NTE2363

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92L

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Manufacturer Part Number

NTE2363

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.17

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

4 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 100mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

50 V