NTE Electronics, Inc NTE2369
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NTE2369
1780-NTE2369
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
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NTE2369详情
NTE Electronics, Inc NTE2369重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92S
质量
4.535924 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Manufacturer Part Number
NTE2369
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
Compliant
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.17
Part Package Code
TO-92
系列
-
ECCN 代码
EAR99
附加功能
DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
300 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
250 MHz
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
80
电阻基(R1)
4.7 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
4.7 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
宽度
101.6 mm
高度
6.35 mm
长度
152.4 mm
NTE2369拓展信息







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