NTE Electronics, Inc NTE2419

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23

质量

4.535924 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Product Status

活跃

Package

Bag

厂商

NTE Electronics, Inc

Manufacturer Part Number

NTE2419

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.21

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

元素配置

Single

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最大集电极电流

200 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

200 MHz

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

50

电阻基(R1)

47 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

47 kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

宽度

101.6 mm

高度

6.35 mm

长度

165.1 mm