登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

显示的结果

'nte2380'

1结果

category.单MOSFET晶体管 (1)

所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

系列

ECCN 代码

类型

最高工作温度

最小工作温度

HTS代码

子类别

最大功率耗散

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

极性/通道类型

连续放电电流(ID)

阈值电压

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

漏源电阻

栅源电压

环境耗散-最大值

高度

长度

宽度

达到SVHC

NTE2380

NTE Electronics, Inc.

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-220-3

NO

3 +Tab

TO-220

68.038855 g

3

SILICON

2.5(A)

500(V)

Military

TO-220

-55C to 150C

±20(V)

Enhancement

1

无

通孔

NTE Electronics, Inc

NTE Electronics

NTE2380

Compliant

Bag

2.5A (Tc)

10V

40W (Tc)

活跃

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

未说明

有

100 ns

RECTANGULAR

活跃

NTE ELECTRONICS INC

90 ns

1.56

TO-220AB

2.5 A

4V @ 250µA

-55°C ~ 150°C

-

EAR99

功率MOSFET

150 °C

-55 °C

8541.29.00.95

FET 通用电源

40 W

MOSFET (Metal Oxide)

SINGLE

THROUGH-HOLE

未说明

R-PSFM-T3

不合格

N

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

40(W)

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

3Ohm @ 1A, 10V

400 pF @ 25 V

15 nC @ 10 V

500 V

±20V

N-CHANNEL

2.5 A

4 V

TO-220AB

20 V

2 A

3 Ω

500 V

10 A

500 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

75 W

-

3 Ω

4 V

75 W

6.35 mm

133.35 mm

38.1 mm

无SVHC

NTE2380

NTE Electronics, Inc.

分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single