NTE Electronics, Inc NTE253MCP

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-126

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

Manufacturer Part Number

NTE253MCP

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.73

系列

-

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

MATCHED COMPLIMENTARY PAIR CONTAINS NTE253 AND NTE254

子类别

BIP 通用小信号

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

40 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

4 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-126

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 40mA, 4A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

40 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

2500

集电极-发射器电压-最大值

80 V

环境耗散-最大值

40 W