NTE Electronics, Inc NTE2542

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3P

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

25 A

Manufacturer Part Number

NTE2542

Manufacturer

NTE Electronics

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.16

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

120 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

120 V

最大集电极电流

25 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 12A, 4V

最大集极截止电流

10μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 24mA, 12A

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

最大耗散功率(Abs)

120 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

25 A

最小直流增益（hFE）

2000

集电极-发射器电压-最大值

120 V

宽度

76.2 mm

高度

12.7 mm

长度

152.4 mm