对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 端子位置 | 终端形式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 高度 | 长度 | 宽度 | 达到SVHC | |||||||||||||
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NTE2945 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | NO | 3 | 7.257478 g | 3 | SILICON | NTE2945 | NTE Electronics | Compliant | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 2.13 | SFM | 5.5 A | EAR99 | 150 °C | -55 °C | SINGLE | THROUGH-HOLE | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE | 增强型MOSFET | ISOLATED | SWITCHING | N-CHANNEL | 5.5 A | 20 V | 0.55 Ω | 40 A | 400 V | 157 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 12.7 mm | 152.4 mm | 76.2 mm | unknown |


哦! 它是空的。