NTE Electronics, Inc. NTE2945
- 收藏
- 对比
NTE2945
1780-NTE2945
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOLATED TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
NTE2945详情
NTE Electronics, Inc. NTE2945重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
质量
7.257478 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2945
Manufacturer
NTE Electronics
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.13
Part Package Code
SFM
Drain Current-Max (ID)
5.5 A
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
5.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.55 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
157 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
宽度
76.2 mm
高度
12.7 mm
长度
152.4 mm
NTE2945拓展信息







哦! 它是空的。