对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 系列 | ECCN 代码 | 附加功能 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | JEDEC-95代码 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 达到SVHC | |||||||||||||||||
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NTE2946 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 Full Pack | NO | 3 | TO-220 Full Pack | 3 | SILICON | NTE2946 | NTE Electronics | Bag | 4.6A | 10V | 40W (Tc) | NTE Electronics, Inc | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 2.12 | TO-220AB | 4.6 A | 4V @ 250µA | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | HIGH RELIABILITY | MOSFET (Metal Oxide) | SINGLE | THROUGH-HOLE | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | N-Channel | SWITCHING | 850mOhm @ 4A, 10V | 1510 pF @ 25 V | 74 nC @ 10 V | 500 V | ±20V | N-CHANNEL | TO-220AB | 0.85 Ω | 32 A | 500 V | 161 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | unknown |


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