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'nte2946'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

系列

ECCN 代码

附加功能

技术

端子位置

终端形式

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

JEDEC-95代码

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

场效应管特性

达到SVHC

NTE2946
NTE2946
NTE Electronics, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-220-3 Full Pack

NO

3

TO-220 Full Pack

3

SILICON

NTE2946

NTE Electronics

Bag

4.6A

10V

40W (Tc)

NTE Electronics, Inc

活跃

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

1

活跃

NTE ELECTRONICS INC

2.12

TO-220AB

4.6 A

4V @ 250µA

-55°C ~ 150°C (TJ)

-

EAR99

HIGH RELIABILITY

MOSFET (Metal Oxide)

SINGLE

THROUGH-HOLE

R-PSFM-T3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

ISOLATED

N-Channel

SWITCHING

850mOhm @ 4A, 10V

1510 pF @ 25 V

74 nC @ 10 V

500 V

±20V

N-CHANNEL

TO-220AB

0.85 Ω

32 A

500 V

161 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Standard

unknown