NTE Electronics, Inc. NTE2953
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NTE2953
1780-NTE2953
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
NTE2953详情
NTE Electronics, Inc. NTE2953重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2953
Manufacturer
NTE Electronics
Continuous Drain Current
70.4(A)
Drain-Source On-Volt
100(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
TO-220
Operating Temp Range
-55C to 175C
Gate-Source Voltage (Max)
±20(V)
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
Mounting
通孔
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.14
Drain Current-Max (ID)
70 A
ECCN 代码
EAR99
类型
功率MOSFET
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3 +Tab
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
极性
N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
63.8(W)
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTE2953拓展信息







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