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NTE Electronics, Inc. NTE2980

Name: NTE2980
Brand: NTE Electronics, Inc.
SKU: 1780-NTE2980
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NTE2980

品牌

NTE Electronics, Inc.

utmel 编号

1780-NTE2980

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NTE2980 NTE Electronics, Inc. Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NTE2980详情

技术参数

NTE Electronics, Inc. NTE2980重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Manufacturer Part Number

NTE2980
Manufacturer

NTE Electronics
Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style

IN-LINE
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Package Shape

RECTANGULAR
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank

5.74
Drain Current-Max (ID)

7.7 A
ECCN 代码

EAR99
子类别

FET 通用电源
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.7 A
漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

31 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
雪崩能量等级（Eas）

47 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

25 W

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