NTE Electronics, Inc NTE454
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NTE454
1780-NTE454
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-72-3
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MOSFET-DUAL GATE N-CH
1最小包装量--
NTE454详情
NTE Electronics, Inc NTE454重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-72-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-72
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
60mA
Power Dissipation (Max)
1.2W
Manufacturer Part Number
NTE454
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.12
Drain Current-Max (ID)
0.06 A
系列
-
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DUAL GATE, DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
Rds On(Max)@Id,Vgs
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3300 pF @ 15 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-72
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.36 W
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
0.03 pF
最高频段
超高频段
功率增益-最小值(Gp)
15 dB
NTE454拓展信息







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