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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | 附加功能 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 达到SVHC | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE2986 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | NTE2986 | NTE Electronics | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 5.75 | 50 A | EAR99 | 快速切换 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.028 Ω | 200 A | 60 V | 110 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | unknown |
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