我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | ECCN 代码 | 类型 | 附加功能 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 场效应管特性 | |||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTE2987 | NTE Electronics, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | NO | TO-220 | 3 | SILICON | NTE2987 | NTE Electronics | 20(A) | 100(V) | Military | TO-220 | -65C to 175C | ±15(V) | Enhancement | 1 | NTE Electronics, Inc | 无 | 通孔 | Bag | 20A | 5V | 105W (Tc) | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | RECTANGULAR | 活跃 | NTE ELECTRONICS INC | 2.13 | 20 A | 175°C (TJ) | - | EAR99 | 功率MOSFET | 快速切换 | MOSFET (Metal Oxide) | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | unknown | 3 +Tab | R-PSFM-T3 | 不合格 | N | SINGLE | 增强型MOSFET | 105(W) | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 120mOhm @ 10A, 5V | 2.5V @ 250µA | 1500 pF @ 25 V | 30 nC @ 5 V | 100 V | ±15V | N-CHANNEL | 0.12 Ω | 80 A | 100 V | 120 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Logic Level Gate, 4V Drive |
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
购物车 (0件产品)
哦! 它是空的。