NTE Electronics, Inc NTE306
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NTE306
1780-NTE306
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-202 Long Tab
大陆
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TRANS NPN 50V 1.5A TO202
1最小包装量--
NTE306详情
NTE Electronics, Inc NTE306重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-202 Long Tab
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-202
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Manufacturer Part Number
NTE306
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
70 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.17
系列
-
操作温度
-50°C ~ 150°C (TJ)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
950 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
98 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
200nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 50mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
8 W
集电极电流-最大值(IC)
1 A
最小直流增益(hFE)
199
集电极-发射器电压-最大值
50 V
环境耗散-最大值
7.9 W
NTE306拓展信息







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