NTE Electronics, Inc NTE3322重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
60 A
Test Conditions
-
Manufacturer Part Number
NTE3322
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Risk Rank
5.72
Rise Time-Max (tr)
600 ns
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Package Shape
RECTANGULAR
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Nom (toff)
750 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
550 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
170 W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
900 V
最大耗散功率(Abs)
200 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 60A
集电极电流-最大值(IC)
60 A
IGBT类型
-
集电极-发射器电压-最大值
900 V
集极脉冲电流(Icm)
120 A
Td(开/关)@25°C
460ns/600ns
开关能量
-
栅极-发射极电压-最大值
25 V
反向恢复时间(trr)
2.5 μs
最大下降时间 (tf)
400 ns