NTE Electronics, Inc NTE59
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NTE59
1780-NTE59
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-SIP
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TRANS PNP 200V 17A 3SIP
1最小包装量--
NTE59详情
NTE Electronics, Inc NTE59重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
3-SIP
表面安装
NO
供应商器件包装
3-SIP
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
17 A
Manufacturer Part Number
NTE59
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.74
系列
-
操作温度
150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
200 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 8A, 4V
最大集极截止电流
100μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2.5V @ 1A, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
200 V
频率转换
20MHz
最大耗散功率(Abs)
200 W
集电极电流-最大值(IC)
17 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
200 V
环境耗散-最大值
200 W
NTE59拓展信息







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