NTE Electronics, Inc NTE649G
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NTE649G
1780-NTE649G
二极管 - 整流器 - 单
DO-214AC, SMA
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DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
1最小包装量--
NTE649G详情
NTE Electronics, Inc NTE649G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
DO-214AC, SMA
表面安装
YES
供应商器件包装
DO-214AC (SMA)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
厂商
NTE Electronics, Inc
Package
Bag
Product Status
活跃
Package Type
SMA
Manufacturer Part Number
NTE649G
Manufacturer
NTE Electronics
Package Description
R-PDSO-C2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Power Dissipation (Max)
1.19 W
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Forward Voltage-Max (VF)
1.3 V
Risk Rank
5.71
系列
-
应用
GENERAL PURPOSE
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-C2
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5 μA @ 400 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.3 V @ 1 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
输出电流-最大值
1 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
400 V
平均整流电流(Io)
1A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
400 V
JEDEC-95代码
DO-214AC
电容@Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
最大非代表Pk前进电流
30 A
反向电流-最大值
5 µA
反向恢复时间-最大值
0.15 µs
反向恢复时间(trr)
150 ns
NTE649G拓展信息







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