Numonyx Memory Solutions NAND512W3A2DZA6E
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NAND512W3A2DZA6E
1781-NAND512W3A2DZA6E
存储器 - 模块
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Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
1最小包装量--
NAND512W3A2DZA6E详情
Numonyx Memory Solutions NAND512W3A2DZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
63
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA63,10X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Access Time-Max
12000 ns
Package Description
8.50 X 15 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
Part Package Code
BGA
Ihs Manufacturer
NUMONYX
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
有
Dimensions
See
Version
with fixing lugs
Enclosure series
AW
Enclosures application
designed for electronic circuits sensitive to electromagnetic interferences
Enclosure description
EMI/RFI shielding,
Enclosure material
aluminium
Dimension Z
38.6mm
Dimension Y
85mm
Dimension X
54.6mm
Type of enclosure
shielding
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND类型
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
63
JESD-30代码
R-PBGA-B63
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
64MX8
座位高度-最大
1.05 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
YES
IP rating
IP68
长度
11 mm
宽度
9 mm
NAND512W3A2DZA6E拓展信息
Numonyx Memory Solutions
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