74HCT2G08GD125详情
NXP 74HCT2G08GD125重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-XFDFN
供应商器件包装
8-XSON (2x3)
RoHS
Compliant
Package
Bulk
Base Product Number
74HCT2G08
厂商
恩智浦半导体
Product Status
活跃
包装
卷带
系列
*
操作温度
-40°C ~ 125°C
容差
1 %
温度系数
50 ppm/°C
电阻
357 kΩ
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
深度
850 µm
军用标准
Not
电路数量
2
输入数量
2
高/低输出电流
4mA, 4mA
逻辑类型
与门
最大传播延迟@V,最大CL
14ns @ 4.5V, 50pF
最大静态电流
20 µA
特征
-
宽度
850 µm
高度
450 µm
长度
1.55 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
74HCT2G08GD125拓展信息
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.








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