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技术文档
型号
BAS21SW
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BAS21SW
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 0.225A, 250V V(RRM), Silicon, TO-236AB
起订量
--最小包装量--
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BAS21SW详情
技术参数
NXP BAS21SW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Power Dissipation (Max)
0.2 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Forward Voltage-Max (VF)
1.25 V
Risk Rank
5.41
包装
切割胶带
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
最小工作温度
应用
HIGH VOLTAGE
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管类型
接收电极
正向电流
225 mA
输出电流-最大值
0.225 A
正向电压
相位的数量
反向恢复时间
50 ns
Rep Pk反向电压-最大值
250 V
最大非代表Pk前进电流
1.7 A
反向电流-最大值
0.1 µA
最大正向浪涌电流(Ifsm)
9 A
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
反向测试电压
200 V
宽度
1.35 mm
高度
1.1 mm
长度
2.2 mm
达到SVHC
无SVHC
BAS21SW拓展信息
公司资质
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