BAS416 115
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NXP BAS416 115

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型号

BAS416 115

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BAS416 115

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

6-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon

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BAS416 115
BAS416 115 NXP Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon

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BAS416 115详情

NXP BAS416 115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    6-SMD, No Lead

  • 安装类型

    表面贴装

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    2

  • 质量

    4.535924 g

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Compliant

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C

  • 系列

    SXO75P

  • 尺寸/尺寸

    0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

  • 类型

    XO (Standard)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 电压 - 供电

    3.3V

  • 频率

    155.52 MHz

  • 频率稳定性

    ±25ppm

  • 输出量

    LVPECL

  • 功能

    Enable/Disable

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    80mA

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    -

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    250 mW

  • 扩频带宽

    -

  • 正向电流

    200 mA

  • 最大浪涌电流

    4 A

  • 正向电压

    1.25 V

  • 最大反向电压(DC)

    75 V

  • 平均整流电流

    200 mA

  • 反向恢复时间

    3 µs

  • 峰值反向电流

    5 nA

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    85 V

  • 峰值非恢复性浪涌电流

    4 A

  • 反向电压

    85 V

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    4 A

  • 恢复时间

    3 ns

  • 座位高度(最大)

    0.067 (1.70mm)

  • 宽度

    1.35 mm

  • 高度

    1.05 mm

  • 长度

    1.8 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

  • 评级结果

    -

0个相似型号

BAS416 115拓展信息

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