NXP BAW62T/R

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage Rating (DC)

75 V

RoHS

Compliant

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BAW62T/R

Power Dissipation (Max)

0.35 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Forward Voltage-Max (VF)

1 V

Risk Rank

5.75

Part Package Code

DO-35

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

研磨二极管

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

250 mA

引脚数量

2

参考标准

CECC50001-021

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

Standard

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

接收电极

输出电流

250 mA

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

5 µA

最大浪涌电流

4 A

输出电流-最大值

0.25 A

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

JEDEC-95代码

DO-35

最大非代表Pk前进电流

2 A

反向电流-最大值

5 µA

恢复时间

4 ns

反向恢复时间-最大值

0.004 µs

无铅

无铅