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技术文档
型号
BC640AMO
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BC640AMO
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1000 Ma 80 V PNP Si Small Signal Transistor TO-92
起订量
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BC640AMO详情
技术参数
NXP BC640AMO重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Voltage, Rating
100 V
hFEMin
63
Voltage Rating (DC)
-80 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Box (TB)
容差
1 %
温度系数
50 ppm/°C
电阻
182 Ω
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
100 mW
最大功率耗散
830 mW
额定电流
-1 A
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
145 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
1 A
集电极基极电压(VCBO)
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
高度
650 µm
无铅
BC640AMO拓展信息
公司资质
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