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NXP BC847BST/R

Name: BC847BST/R
Brand: NXP
SKU: 1786-BC847BST/R
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BC847BST/R

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BC847BST/R

商品类别

无类别的

封装

0805 (2012 Metric)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:200mW

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BC847BST/R NXP Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:200mW

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BC847BST/R详情

技术参数

NXP BC847BST/R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

0805 (2012 Metric)
表面安装

YES
供应商器件包装

0805
终端数量

6
晶体管元件材料

SILICON
Package

Tape & Reel (TR)
厂商

KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status

活跃
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style

小概要
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

30
Rohs Code

有
Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz
Manufacturer Part Number

BC847BST/R
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Nexperia
Number of Elements

2
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

NEXPERIA
Risk Rank

5
操作温度

-55°C ~ 155°C
系列

SG73S-RT
尺寸/尺寸

0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差

±0.5%
JESD-609代码

e3
终止次数

2
温度系数

±200ppm/°C
电阻

39 kOhms
端子表面处理

TIN
组成

厚膜
功率(瓦特)

0.25W, 1/4W
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PDSO-G6
失败率

-
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
集电极电流-最大值(IC)

0.1 A
最小直流增益（hFE）

200
集电极-发射器电压-最大值

45 V
特征

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
座位高度(最大)

0.024 (0.60mm)
评级结果

-

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BC847BST/R拓展信息

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