NXP BC848BT/R

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFEMin

200

Voltage Rating (DC)

30 V

RoHS

Compliant

Risk Rank

5.59

Ihs Manufacturer

飞利浦半导体

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer

Philips Semiconductors

Manufacturer Part Number

BC848BT/R

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Description

,

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 mW

Reach合规守则

unknown

额定电流

100 mA

极性

NPN

配置

Single

元素配置

Single

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

无铅

无铅