NXP BC850BW

表面安装

YES

引脚数

16

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

hFEMin

200

Number of Elements

1

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Part Package Code

SC-70

Risk Rank

5

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer

恩智浦半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BC850BW

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Rohs Code

有

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

200 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

200 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

45 V

环境温度范围高

150 °C

VCEsat-最大值

0.6 V

集电极-基极电容-最大值

3 pF

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC