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NXP BC856AW

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对比

型号

BC856AW

品牌

utmel 编号

1786-BC856AW

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

起订量

--最小包装量--

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BC856AW

BC856AW NXP PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

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BC856AW详情

技术参数

NXP BC856AW重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package

Bulk
厂商

PEI-Genesis
Product Status

活跃
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style

小概要
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

有
Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz
Manufacturer Part Number

BC856AW
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Diotec Semiconductor AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank

1.22
系列

*
ECCN 代码

EAR99
子类别

其他晶体管
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PDSO-G3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
极性/通道类型

PNP
最大耗散功率(Abs)

0.2 W
集电极电流-最大值(IC)

0.1 A
最小直流增益（hFE）

125
集电极-发射器电压-最大值

65 V

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BC856AW拓展信息

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