注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
BC856BT3
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BC856BT3
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
100 Ma 65 V PNP Si Small Signal Transistor TO-236AB
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BC856BT3详情
技术参数
NXP BC856BT3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250 mV
hFEMin
220
Voltage Rating (DC)
-65 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
额定电流
-100 mA
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
65 V
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
无铅
BC856BT3拓展信息
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