注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
BC856W T/R
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BC856W T/R
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
100 mA 65 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
起订量
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
BC856W T/R详情
技术参数
NXP BC856W T/R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250 mV
hFEMin
125
Voltage Rating (DC)
-65 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
额定电流
-100 mA
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
65 V
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
连续集电极电流
100 mA
无铅
BC856W T/R拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)
购物车
询价列表
对比列表
微信咨询
QQ咨询
公众号
建议反馈
哦! 它是空的。
我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
在线咨询
