NXP BC857C/T3

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

hFEMin

420

Voltage Rating (DC)

-45 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC857C/T3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5

Part Package Code

SOT-23

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-100 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

420

集电极-发射器电压-最大值

45 V

VCEsat-最大值

0.65 V

无铅

无铅