NXP BC858BTR

安装类型

Surface Mount, MLCC

包装/外壳

1206 (3216 Metric)

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Vishay Vitramon

Product Status

Obsolete

Voltage Rated

630V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

hFEMin

220

Voltage Rating (DC)

-30 V

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC858BTR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5

操作温度

-55°C ~ 150°C

系列

GA

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

容差

±0.25pF

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

温度系数

C0G, NP0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

汽车

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

电容量

1.2 pF

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

-100 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

失败率

-

极性

PNP

引线间距

-

配置

SINGLE

元素配置

Single

引线样式

-

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

集电极-发射器电压-最大值

30 V

VCEsat-最大值

0.65 V

集电极-基极电容-最大值

4.5 pF

特征

Epoxy Mountable, High Temperature

座位高度(最大)

-

厚度（最大）

0.067 (1.70mm)

无铅

无铅

评级结果

AEC-Q200