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技术文档
型号
BC859BW
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BC859BW
商品类别
无类别的
封装
4-SMD, No Lead
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
起订量
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BC859BW详情
技术参数
NXP BC859BW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diotec Semiconductor AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank
1.2
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
频率
125.009 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
资历状况
不合格
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
SINGLE
扩频带宽
-
极性/通道类型
PNP
绝对牵引范围 (APR)
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
220
集电极-发射器电压-最大值
30 V
座位高度(最大)
0.051 (1.30mm)
评级结果
BC859BW拓展信息
公司资质
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