NXP BC879

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

hFEMin

1000

Voltage Rating (DC)

45 V

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

BC879

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Siemens

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

西门子 A G

Risk Rank

5.81

Part Package Code

TO-92

包装

Bulk

容差

0.1 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

64.2 kΩ

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

额定功率

250 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

额定电流

1 A

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

1 A

JEDEC-95代码

TO-92

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

2000

集电极-发射器电压-最大值

100 V

VCEsat-最大值

1.3 V

高度

650 µm

无铅

无铅