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技术文档
型号
BCP54115
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BCP54115
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1 A 45 V NPN Si Power Transistor
起订量
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BCP54115详情
技术参数
NXP BCP54115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
4
质量
4.535924 g
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
RoHS
Compliant
Number of Elements
1
hFEMin
63
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45 V
Package
Bulk
Base Product Number
BCP54
厂商
NXP USA Inc.
Product Status
活跃
系列
*
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
960 mW
频率
180 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
1.35 W
增益带宽积
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
1 A
最高频率
转换频率
最大击穿电压
集电极基极电压(VCBO)
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
BCP54115拓展信息
公司资质
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