注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
BCV61CT/R
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BCV61CT/R
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
100 Ma 30 V 2 Channel NPN Si Small Signal Transistor
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BCV61CT/R详情
技术参数
NXP BCV61CT/R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
RoHS
Non-Compliant
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
hFEMin
100
Voltage Rating (DC)
30 V
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
额定电流
100 mA
极性
NPN
元素配置
Dual
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
集电极基极电压(VCBO)
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
连续集电极电流
无铅
BCV61CT/R拓展信息
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