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技术文档
型号
BCY58-VIII
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BCY58-VIII
商品类别
无类别的
封装
Radial Bend Cylinder
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
起订量
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BCY58-VIII详情
技术参数
NXP BCY58-VIII重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
径向弯曲气缸
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Eaton - Bussmann Electrical Division
Product Status
活跃
Voltage Rating DC
1 kV
Class
-
Package Description
HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
150 ns
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Turn-off Time-Max (toff)
800 ns
Risk Rank
5.38
操作温度
-40°C ~ 90°C
系列
PV
尺寸/尺寸
0.406 Dia x 1.496 L (10.30mm x 38.00mm)
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
Solar (Photovoltaic)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
额定电流
5A
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
审批机构
CCC, CSA, UL
配置
SINGLE
回应时间
晶体管应用
SWITCHING
保险丝类型
Cartridge
分断能力@额定电压
50kA
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-18
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
45
集电极-发射器电压-最大值
32 V
特征
BCY58-VIII拓展信息
公司资质
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