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技术文档
型号
BDS649
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BDS649
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BDS649 datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BDS649详情
技术参数
NXP BDS649重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Panel Mount, Through Hole
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
外壳材料
铝合金
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
600VAC, 850VDC
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
KPT02
厂商
ITT Cannon, LLC
Product Status
活跃
Contact Finish Mating
Gold
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Turn-on Time-Max (ton)
2000 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Turn-off Time-Max (toff)
10000 ns
Risk Rank
5.83
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
KPT
终端
Solder
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
55
颜色
橄榄色
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
紧固类型
卡口锁
额定电流
7.5A
端子位置
DUAL
方向
W
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
-
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄色镉
外壳尺寸-插入
22-55
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
外壳尺寸,MIL
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
1000
集电极-发射器电压-最大值
100 V
特征
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
BDS649拓展信息
公司资质
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