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技术文档
型号
BF1101
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BF1101
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BF1101 datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
起订量
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BF1101详情
技术参数
NXP BF1101重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Free Hanging (In-Line)
表面安装
YES
越来越多的功能
-
外壳材料
铝合金
插入材料
Diallyl Phthalate (DAP)
终端数量
4
后壳材料,电镀
Aluminum Alloy, Olive Drab Chromate over Cadmium
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
900VAC, 1250VDC
Package
Bulk
Primary Material
Metal
厂商
Amphenol Industrial Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Silver
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.75
Drain Current-Max (ID)
0.03 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
97
JESD-609代码
e3
终端
焊杯
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Plug, Female Sockets
定位的数量
12
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
橄榄色
应用
Automotive, Industrial
附加功能
低噪音
紧固类型
Threaded
子类别
FET 通用电源
额定电流
端子位置
DUAL
方向
X
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Unshielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
入口保护
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄绿色铬酸盐镀镉
外壳尺寸-插入
28-9
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
外壳尺寸,MIL
箱体转运
SOURCE
电缆开口
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
DS 击穿电压-最小值
7 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
0.035 pF
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
最高频段
超高频段
特征
Backshell, Coupling Nut
触点表面处理厚度 - 配套
材料可燃性等级
BF1101拓展信息
公司资质
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