NXP BF1212WR

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-220AC

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BF1212WR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低噪音

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

100µA @ 60V

操作模式

DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

840mV @ 20A

箱体转运

SOURCE

工作温度 - 结点

-65°C ~ 150°C

晶体管应用

AMPLIFIER

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

60V

平均整流电流（Io）

10A

极性/通道类型

N-CHANNEL

电容@Vr, F

--

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

DS 击穿电压-最小值

6 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.18 W

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

超高频段