BF510
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NXP BF510

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型号

BF510

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BF510

商品类别

晶体管 - JFET

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET N-CHANNEL JFET 20V 100

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BF510 NXP RF MOSFET N-CHANNEL JFET 20V 100

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BF510详情

NXP BF510重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    TO-236AB

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    Suntsu Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BF510

  • Manufacturer

    Philips Semiconductors

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Risk Rank

    5.57

  • 操作温度

    -10°C ~ 70°C

  • 系列

    SXT224

  • 尺寸/尺寸

    0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

  • JESD-609代码

    e3

  • 类型

    兆赫晶体

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 子类别

    其他晶体管

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    30 MHz

  • 频率稳定性

    ±25ppm

  • ESR(等效串联电阻)

    60 Ohms

  • 负载电容

    18pF

  • 操作模式

    Fundamental

  • 频率容差

    ±15ppm

  • 功率 - 最大

    250 mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5pF @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.25 W

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    3 mA @ 10 V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    800 mV @ 10 µA

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    20 V

  • 最大漏极电流(Id)

    30 mA

  • 座位高度(最大)

    0.026 (0.65mm)

0个相似型号

BF510拓展信息

PMBFJ108,215
PMBFJ108,215

NXP USA Inc.

PMBFJ109,215
PMBFJ109,215

NXP USA Inc.

PMBF4391,215
PMBF4391,215

NXP USA Inc.

PMBFJ113,215
PMBFJ113,215

NXP USA Inc.

PMBFJ310,215
PMBFJ310,215

NXP USA Inc.

BFT46
BFT46

NXP USA Inc.

PMBFJ111,215
PMBFJ111,215

NXP USA Inc.

PMBFJ112,215
PMBFJ112,215

NXP USA Inc.

PMBFJ174,215
PMBFJ174,215

NXP USA Inc.

PMBF4392,215
PMBF4392,215

NXP USA Inc.

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