NXP BF512T/R

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating (DC)

20 V

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC, SMD, SST3, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BF512T/R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

系列

*

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

10 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10 mA

漏源击穿电压

20 V

输入电容

5 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

反馈上限-最大值 (Crss)

0.4 pF

最高频段

甚高频段

无铅

无铅