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技术文档
型号
BF660
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BF660
商品类别
无类别的
封装
1932-BBGA, FCBGA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
BF660 datasheet pdf and Unclassified product details from NXP stock available at utmel
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BF660详情
技术参数
NXP BF660重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
1932-FBGA, FC (45x45)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of I/Os
840
Package
Tray
Base Product Number
5SGXMAB
厂商
Intel
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
700 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Siemens
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
西门子 A G
Risk Rank
5.15
操作温度
-40°C ~ 100°C (TJ)
系列
Stratix® V GX
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
电压 - 供电
0.82V ~ 0.88V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
逻辑元件/单元数
952000
JEDEC-95代码
TO-236
总 RAM 位数
53248000
LABs数量/ CLBs数量
359200
最大耗散功率(Abs)
0.28 W
集电极电流-最大值(IC)
0.025 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
30 V
最高频段
甚高频段
BF660拓展信息
公司资质
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