BF823 T/R
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NXP BF823 T/R

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型号

BF823 T/R

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BF823 T/R

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7

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1最小包装量--

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BF823 T/R
BF823 T/R NXP Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7

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BF823 T/R详情

NXP BF823 T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bag

  • Base Product Number

    DL64R

  • 厂商

    TE Connectivity Deutsch 连接器

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    60 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BF823T/R

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    恩智浦半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Risk Rank

    5.25

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.31 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.05 A

  • 最小直流增益(hFE)

    50

  • 集电极-发射器电压-最大值

    250 V

  • VCEsat-最大值

    0.8 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    1.6 pF

0个相似型号

BF823 T/R拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS