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技术文档
型号
BF823 T/R
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BF823 T/R
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE-7
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BF823 T/R详情
技术参数
NXP BF823 T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bag
Base Product Number
DL64R
厂商
TE Connectivity Deutsch 连接器
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
60 MHz
Manufacturer Part Number
BF823T/R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.25
系列
*
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
极性/通道类型
PNP
最大耗散功率(Abs)
0.31 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
250 V
VCEsat-最大值
0.8 V
集电极-基极电容-最大值
1.6 pF
BF823 T/R拓展信息
公司资质
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