BFG135T/R详情
NXP BFG135T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Panduit Corp
Product Status
Obsolete
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
15 V
RoHS
Compliant
Package Description
PLASTIC, SC-73, 4 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
7000 MHz
Manufacturer Part Number
BFG135T/R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.8
Part Package Code
SC-73
系列
-
包装
切割胶带
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
附加功能
BUILT-IN EMITTER BALLASTING RESISTORS
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
150 mA
频率
7 GHz
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
1 W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15 V
最大集电极电流
150 mA
最高频率
7 GHz
集电极基极电压(VCBO)
25 V
最大耗散功率(Abs)
1 W
发射极基极电压 (VEBO)
2 V
集电极电流-最大值(IC)
0.15 A
最小直流增益(hFE)
80
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
超高频段
环境耗散-最大值
1 W
辐射硬化
无
无铅
无铅
BFG135T/R拓展信息








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