NXP BFG21W

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

型芯材料

Phenolic

Mounting Styles

Thru-Hole

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

18000 MHz

Manufacturer Part Number

BFG21W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.79

操作温度

-55°C to +125°C

容差

0.05

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

600 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

终端类型

Pb

元素配置

Single

箱体转运

EMITTER

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

4.5 V

最大集电极电流

500 mA

最高频率

18 GHz

集电极基极电压(VCBO)

15 V

最大耗散功率(Abs)

0.67 W

发射极基极电压 (VEBO)

1 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

集电极-发射器电压-最大值

4.5 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

3 pF

宽度

1.35 mm

高度

1 mm

长度

2.2 mm