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技术文档
型号
BFG25A/X
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BFG25A/X
商品类别
无类别的
封装
MPG06, Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.0065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
起订量
--最小包装量--
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BFG25A/X详情
技术参数
NXP BFG25A/X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
MPG06
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC PACKAGE-4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
5000 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.8
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
零件状态
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
基本部件号
引脚数量
参考标准
CECC
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5µA @ 800V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1V @ 1A
箱体转运
COLLECTOR
工作温度 - 结点
-55°C ~ 150°C
晶体管应用
AMPLIFIER
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
800V
平均整流电流(Io)
1A
极性/通道类型
NPN
电容@Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
最大耗散功率(Abs)
0.032 W
集电极电流-最大值(IC)
0.0065 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
5 V
最高频段
L带
反向恢复时间(trr)
600ns
集电极-基极电容-最大值
0.3 pF
环境耗散-最大值
BFG25A/X拓展信息
公司资质
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