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技术文档
型号
BLA6H0912-500
品牌
NXP
utmel 编号
1786-BLA6H0912-500
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
L Band Si N-channel Rf Power Mosfet
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BLA6H0912-500详情
技术参数
NXP BLA6H0912-500重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Aluminum
形状
Square, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
54 A
系列
pushPIN™
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
最高工作温度
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.790 (20.00mm)
强制空气流动时的热阻
7.52°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
DS 击穿电压-最小值
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
自然环境下的热阻
最高频段
L带
温度上升时的耗散功率
宽度
1.181 (30.00mm)
长度
直径
达到SVHC
无SVHC
BLA6H0912-500拓展信息
公司资质
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